Κίνα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

Αυτοκίνητη ενότητα στάσεων τομέων τάφρων ενότητας ενοτήτων FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT IGBT

Αριθμός μερών:FP50R12KT4B11BPSA1

Ολοκληρωμένο κύκλωμα nom:225 Α

ICRM:450 Α
Αυτοκίνητη IGBT IGBT τάφρος 2Independent ενοτήτων 20mW ενότητας FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Αριθμός μερών:FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Τύπος IGBT:Τάφρος

Διαμόρφωση:2 ανεξάρτητος
Αυτοκίνητες IGBT ενότητες ημιαγωγών IGBT ενοτήτων FP25R12KT4B11BPSA1 ιδιαίτερες

Αριθμός μερών:FP25R12KT4B11BPSA1

VCEO:1200 V

Pd - διασκεδασμός δύναμης:160 W
Αυτοκίνητες IGBT ενότητες αναστροφέων IGBT γεφυρών ενοτήτων FF750R17ME7DB11BPSA1 μισές

Αριθμός μερών:FF750R17ME7DB11BPSA1

Εκτιμημένη αντίσταση:5 kΩ

Απόκλιση R100:-5- 5%
Αυτοκίνητη IGBT διπλή 1200V CoolSiC MOSFET ενοτήτων FF45MR12W1M1B11BOMA1 ενότητα

Αριθμός μερών:FF45MR12W1M1B11BOMA1

Ρεύμα ΣΥΝΕΧΩΝ αγωγών:25A

Τάση κατώτατων ορίων πυλών (τύπος):4.5V
Μισή γέφυρα στάσεων τομέων τάφρων ενότητας FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT

Αριθμός μερών:FF225R17ME7B11BPSA1

Τύπος IGBT:Στάση Πεδίου Τάφρου

Διαμόρφωση:μισή γέφυρα
Πλήρης αναστροφέας γεφυρών ενοτήτων FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW IGBT

Αριθμός μερών:FS100R12N2T7B15BPSA1

Διαμόρφωση:Πλήρης αναστροφέας γεφυρών

Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:NA 100
Αυτοκίνητο IGBT IGBT MOSFET ενοτήτων 1200V CoolSiC ενοτήτων FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Αριθμός μερών:FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Τάση:1200 V

Αντίσταση:8 mΩ
Αυτοκίνητες IGBT ενότητες πυριτίου αναστροφέων IGBT ενοτήτων FP35R12N2T7BPSA2 3-Phase

Αριθμός μερών:FP35R12N2T7BPSA2

Βάρος:24g

Επαναλαμβανόμενο μέγιστο ρεύμα αγωγών:30A
Αυτοκίνητη IGBT ενότητα 1200V γεφυρών 11mΩ ενοτήτων FF11MR12W1M1PB11BPSA1 μισή

Αριθμός μερών:FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Σειρά:CoolSiC™+

Τεχνολογία:Καρβίδιο του πυριτίου (SIC)
Μισές MOSFET γεφυρών FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC αυτοκίνητες IGBT ενότητες ενότητας 1200V

Αριθμός μερών:FF8MR12W2M1B11BOMA1

IDRM:300a

Αποθηκευμένη COSS ενέργεια:264 µJ
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 τα τριών επιπέδων πλαίσια αναστροφέων 950V 70A τοποθετούν τις ενότητες IGBT

Αριθμός μερών:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1

Εφαρμοσμένο ρεύμα αγωγών:15A

Εισαγωγή:Πρότυπα

Page 154 of 186|< << 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 >> >|

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

Μέσης ησχύος διπλές τριφασικές PIM IGBT ενότητες Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 φωτοβολταϊκή ενέργεια ενότητας 950V 70A φάσης IGBT

Αυτοκίνητη διπλή IGBT IGBT ενότητα ενοτήτων FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Κίνα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

Αυτοκίνητη ενότητα στάσεων τομέων τάφρων ενότητας ενοτήτων FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT IGBT

Αυτοκίνητη IGBT IGBT τάφρος 2Independent ενοτήτων 20mW ενότητας FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Αυτοκίνητες IGBT ενότητες ημιαγωγών IGBT ενοτήτων FP25R12KT4B11BPSA1 ιδιαίτερες

Αυτοκίνητες IGBT ενότητες αναστροφέων IGBT γεφυρών ενοτήτων FF750R17ME7DB11BPSA1 μισές

Αυτοκίνητη IGBT διπλή 1200V CoolSiC MOSFET ενοτήτων FF45MR12W1M1B11BOMA1 ενότητα

Μισή γέφυρα στάσεων τομέων τάφρων ενότητας FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT

Πλήρης αναστροφέας γεφυρών ενοτήτων FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW IGBT

Αυτοκίνητο IGBT IGBT MOSFET ενοτήτων 1200V CoolSiC ενοτήτων FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Αυτοκίνητες IGBT ενότητες πυριτίου αναστροφέων IGBT ενοτήτων FP35R12N2T7BPSA2 3-Phase

Αυτοκίνητη IGBT ενότητα 1200V γεφυρών 11mΩ ενοτήτων FF11MR12W1M1PB11BPSA1 μισή

Μισές MOSFET γεφυρών FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC αυτοκίνητες IGBT ενότητες ενότητας 1200V

FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 τα τριών επιπέδων πλαίσια αναστροφέων 950V 70A τοποθετούν τις ενότητες IGBT

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

VN7008AJTR Ενοποιημένο κύκλωμα Chip High-Side Driver 96A High Side Switches PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Βιομηχανικοί αναλογικοί διακόπτες CMOS

LT6700CS6-1 Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Μικροηλεκτρική χαμηλής τάσης διπλός συγκριτής με αναφορά 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Αλάσκα Ultra Gigabit Ethernet PHY Πληροφοριακοί δέκτες