Κίνα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

• 

  Μισός αναστροφέας γεφυρών στάσεων τομέων τάφρων ενότητας κρυσταλλολυχνιών FF450R12ME4 IGBT

  Αριθμός μερών:FF450R12ME4

  Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών:1200 V

  Διαμόρφωση:Μισός αναστροφέας γεφυρών

  Επικοινωνήστε
• 

  Mosfet ενότητας MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W δύναμης κρυσταλλολυχνίες σειράς SIC

  Αριθμός μερών:MSCSM120HM16CT3AG

  Συνολική δαπάνη πυλών:1602nC

  Διαμόρφωση:4 N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  4N-κανάλι Mosfet MOSFET γεφυρών SIC σειράς MSCSM170HM23CT3AG πλήρης ενότητα 602W δύναμης

  Αριθμός μερών:MSCSM170HM23CT3AG

  Διασκεδασμός δύναμης TC = 25 °C:602W (Max)

  Αγωγός-πηγή στην αντίσταση (Max):22.5mΩ

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητες IGBT κρυσταλλολυχνίες ενότητας δύναμης γεφυρών SIC ενοτήτων MSCSM120HM083CAG πλήρεις

  Αριθμός μερών:MSCSM120HM083CAG

  VGS:10V

  Διασκεδασμός δύναμης:1042W

  Επικοινωνήστε
• 

  Mosfet κρυσταλλολυχνιών MSCSM120HM063CAG πλήρης ενότητα δύναμης γεφυρών SIC σειρών

  Αριθμός μερών:MSCSM120HM063CAG

  Παλόμενο ρεύμα αγωγών:900A

  Δαπάνη πύλη-πηγής:232nC

  Επικοινωνήστε
• 

  Mosfet 4N-καναλιών ενοτήτων 1700V ενοτήτων MSCSM170HM087CAG αυτοκίνητη IGBT σειρά

  Αριθμός μερών:MSCSM170HM087CAG

  Τεχνολογία:Καρβίδιο του πυριτίου (SIC)

  Διαμόρφωση:4 N-Channel (πλήρης γέφυρα)

  Επικοινωνήστε
• 

  Η αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων MSCSM70HM038CAG IGBT βίδα κρυσταλλολυχνιών σειράς τοποθετεί

  Αριθμός μερών:MSCSM70HM038CAG

  Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:+ 125 Γ

  Τύπος:Πλήρης γέφυρα

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

  Αριθμός μερών:MSCSM170DUM039AG

  Συσκευασία/περίπτωση:Ενότητα

  Τάση αγωγός-πηγής (Max):1700V

  Επικοινωνήστε
• 

  Ιδιαίτερες αυτοκίνητες IGBT ημιαγωγών ενότητες κρυσταλλολυχνιών MSCSM70HM05CAG 700V

  Αριθμός μερών:MSCSM70HM05CAG

  VF:1.5 Β

  Τεχνολογία:ΟΥΤΩ

  Επικοινωνήστε
• 

  Τα αυτοκίνητα πλαίσια κρυσταλλολυχνιών ενότητας δύναμης ενοτήτων MSCSM70HM19CT3AG IGBT τοποθετούν

  Αριθμός μερών:MSCSM70HM19CT3AG

  Δύναμη - Max:365W (TC)

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 700V

  Επικοινωνήστε
• 

  Διπλή κοινή πηγή MSCSM170DUM11T3AG Automotive IGBT Modules 240A 1700V MOSFET

  Αριθμός μερών:MSCSM170DUM11T3AG

  Συσκευασία συσκευών προμηθευτών:SP3F

  Λειτουργούσα θερμοκρασία (λ.):-40°C (TJ)

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητη MOSFET 2N-καναλιών SIC ενοτήτων MSCSM70DUM017AG IGBT ενότητα 700V δύναμης

  Αριθμός μερών:MSCSM70DUM017AG

  Διαμόρφωση:2 N-Channel (διπλή) κοινή πηγή

  Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):700V

  Επικοινωνήστε