Αριθμός τμήματος:S70KS1282GABHM023
Διασύνδεση μνήμης:HyperBus
Τεχνολογία:Ψευδο SRAM
Αριθμός τμήματος:S80KS2563GABHI020
Τυλιγμένα μήκη έκρηξης:16 ψηφιολέξεις
Βιομηχανικός συν:-40°C σε +105°C
Αριθμός τμήματος:S26HS512TGABHI013
Ανάγνωσης-γραφής τρέχουσα κατανάλωση έκρηξης:22mA/25mA
Εφεδρικός:360 µA
Αριθμός τμήματος:S80KS5123GABHB023
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:οκτάμπιτος
Οργάνωση:8 Μ Χ 8
Αριθμός τμήματος:S27KL0643DPBHB023
Σειρά:HyperRAM™ KL
Τύπος μνήμης:Επικίνδυνα
Αριθμός τμήματος:S70KS1283GABHI020
Σφιχτότητα:512MB
Πρόσθετη τάση:1.7V ~ 2V
Αριθμός μερών:MT25QU512ABB8E12-0AAT
Τάση:1.7V ~ 2V
Πυκνότητα:512MB
Αριθμός μερών:MT41K256M16TW-107 AUT: Π
Μέγεθος μνήμης:4Gbit
Τύπος μνήμης:Πτητικός
Αριθμός τμήματος:S70KS1283GABHI023
DRAM:25nm
Διασύνδεση μνήμης:SPI - Οκταδικό I/O
Αριθμός μερών:Mt29f1g08abafah4-AAT: Φ
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:οκτάμπιτος
Διεπαφή μνήμης:Παράλληλος
Αριθμός μερών:Mtfc64gazaqhd-ait
Μέγεθος μνήμης:512 ΜΒ
Οργάνωση μνήμης:64G Χ 8
Αριθμός μερών:Mtfc64gazaqhd-AAT
Διεπαφή μνήμης:eMMC
Λειτουργούσα θερμοκρασία:-40°C ~ 105°C (TA)