Κίνα Τσιπ IC μνήμης

• 

  Ολοκληρωμένο κύκλωμα S80KS2563GABHV023 200 ολοκληρωμένο κύκλωμα 24-FBGA τσιπ μνήμης MHZ PSRAM

  Αριθμός τμήματος:S80KS2563GABHV023

  Ποσοστό ρολογιών:1.8 Β

  Εφεδρικός:105 °C

  Επικοινωνήστε
• 

  S80KS2562GABHI020 ψευδο SRAM ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένο κύκλωμα 256Mbit 24FBGA μνήμης τσιπ

  Αριθμός τμήματος:S80KS2562GABHI020

  Βιομηχανικό (ι):-40°C έως +85°C

  Υποστήριξη διεπαφών:1.8 Β/3,0 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  512Mbit SPI - οκταδικό I/O ολοκληρωμένο κύκλωμα 24-FBGA μνήμης 200MHz S80KS5123GABHI020 ψευδο SRAM

  Αριθμός τμήματος:S80KS5123GABHI020

  Μέγεθος μνήμης:512 Mbit

  Μέγιστη συχνότητα ρολογιών:200 MHz

  Επικοινωνήστε
• 

  Ολοκληρωμένο κύκλωμα 24-VBGA μνήμης τσιπ S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

  Αριθμός τμήματος:S27KS0642GABHM023

  Τεχνολογία:PSRAM (ψευδο SRAM)

  Η έκρηξη διάβασε ή γράφει:30 μΑ

  Επικοινωνήστε
• 

  128Mbit τσιπ 24-VBGA ψευδο SRAM ολοκληρωμένων κυκλωμάτων τσιπ μνήμης S70KS1282GABHV023

  Αριθμός τμήματος:S70KS1282GABHV023

  Υποστήριξη διεπαφών:1.8 Β/3,0 Β

  Λειτουργούσα θερμοκρασία (λ.):-40°C (TA)

  Επικοινωνήστε
• 

  Το τσιπ S27KS0642GABHB023 200 35 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MHZ επιφάνειας NS 24-FBGA τοποθετεί το ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης

  Αριθμός τμήματος:S27KS0642GABHB023

  Τεχνολογία:38-NM DRAM

  DRAM:38-NM

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος τσιπ μνήμης VBGA24 τσιπ S70KL1282GABHB030 128Mbit ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

  Αριθμός τμήματος:S70KL1282GABHB030

  Τυλιγμένα μήκη έκρηξης:128 ψηφιολέξεις (64 ρολόγια)

  Γραμμική έκρηξη:64 ΜΒ

  Επικοινωνήστε
• 

  Οκταδικό I/O 200MHz τσιπ ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI

  Αριθμός τμήματος:S80KS2563GABHI023

  Πρόγραμμα:50

  SDR που διαβάζεται:50 MHz

  Επικοινωνήστε
• 

  512Mbit τσιπ μνήμης τσιπ FBGA24 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος S80KS5123GABHV023 μνήμης

  Αριθμός τμήματος:S80KS5123GABHV023

  Διασύνδεση:xSPI (οκταδική) διεπαφή

  Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας - βιομηχανικό (ι):– 40 °C σε +85 °C

  Επικοινωνήστε
• 

  Ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns τσιπ

  Αριθμός τμήματος:S70KS1282GABHM023

  Διασύνδεση μνήμης:HyperBus

  Τεχνολογία:Ψευδο SRAM

  Επικοινωνήστε
• 

  Η επιφάνεια τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος τοποθετεί το ψευδο SRAM ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz

  Αριθμός τμήματος:S80KS2563GABHI020

  Τυλιγμένα μήκη έκρηξης:16 ψηφιολέξεις

  Βιομηχανικός συν:-40°C σε +105°C

  Επικοινωνήστε
• 

  Ηλεκτρονικό ολοκληρωμένο κύκλωμα 512Mbit 24-FBGA μνήμης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων S26HS512TGABHI013

  Αριθμός τμήματος:S26HS512TGABHI013

  Ανάγνωσης-γραφής τρέχουσα κατανάλωση έκρηξης:22mA/25mA

  Εφεδρικός:360 µA

  Επικοινωνήστε