Αριθμός τμήματος:S70KL1282GABHB020
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:35ns
Υποστήριξη διεπαφών:1.8 Β/3,0 Β
Αριθμός τμήματος:S27KL0642GABHI030
Τεχνολογία:PSRAM (ψευδο SRAM)
Τύπος μνήμης:Επικίνδυνα
Αριθμός τμήματος:S80KS2563GABHM023
Κατηγορία προϊόντων:DRAM
Τεχνολογία:PSRAM (ψευδο SRAM)
Αριθμός τμήματος:CY7C1441KV33-133AXI
Χρόνος πρόσβασης:6,5 NS
Πρόσθετη τάση:3.135V ~ 3.6V
Αριθμός τμήματος:S70KS1283GABHB020
Σήματα λεωφορείων:11
Λεωφορείο στοιχείων:8 bit
Αριθμός τμήματος:Mt29f2g08abagawp-ITE: Γ
Τυχαίος που διαβάζεται:25µs
Πρόγραμμα σελίδων:300µs (ΤΥΠΟΣ)
Αριθμός τμήματος:Mt29f2g01abagdwb-ΕΣΥ: Γ
Ρεύμα ανεφοδιασμού - Max:35 μΑ
Μέγεθος:8mm X 6mm
Αριθμός τμήματος:Mt29f1g08abaeawp-ΕΣΥ: Ε
Μέγεθος συσκευών:1Gb: 1024 φραγμοί
Μέγεθος σελίδας x16:1056 λέξεις (1024 + 32 λέξεις)
Αριθμός τμήματος:Mt29f2g08abagah4-ΕΣΥ: Γ
Τύπος μνήμης:Μη πτητικά
Μέγεθος μνήμης:2Gbit
Αριθμός τμήματος:Mt29f4g08abaeawp-ΕΣΥ: Ε
Τάση - ανεφοδιασμός (Max):3.6V
Τάση - ανεφοδιασμός (λ.):2.7V
Αριθμός τμήματος:Mt29f32g08abaaawp-ITZ: Α
tRC/tWC:20ns (MIN)
Διαβάστε τη σελίδα:35µs (MAX)
Ποσότητα παραγγελίας min:10
Συσκευασία λεπτομέρειες:Τυπικό πακέτο
Χρόνος παράδοσης:3-5 εργάσιμες ημέρες