Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  Ενιαίες κρυσταλλολυχνίες ημιαγωγών IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W ιδιαίτερες

  Αριθμός μερών:IKY100N120CH7XKSA1

  Τύπος IGBT:Στάση τομέων τάφρων

  Δαπάνη πυλών:nC 714

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel καρβιδίου του πυριτίου οι κρυσταλλολυχνίες scth60n120g2-7 επιφάνεια -263-8 τοποθετούν

  Αριθμός μερών:Scth60n120g2-7

  Τρόπος καναλιών:Αύξηση

  Διαμόρφωση:Ενιαίος

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενιαίες MOSFETs κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:SCT4026DRHRC15

  Τοποθετώντας τύπος:Μέσω της τρύπας

  Λειτουργούσα θερμοκρασία:175°C (TJ)

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel MOSFET 650V δύναμης κρυσταλλολυχνιών SCT3080ARHRC15 SIC τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

  Αριθμός μερών:SCT3080ARHRC15

  Συσκευασία/περίπτωση:-247-4L

  Τρόπος καναλιών:Αύξηση

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel τσιπ SCT2280KEGC11 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες -247-3 μέσω της τρύπας

  Αριθμός μερών:SCT2280KEGC11

  Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C:14A (TC)

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 36 @ 18 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  N-channel SIC MOSFET SCT4062KW7TL δύναμης τσιπ -263-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:SCT4062KW7TL

  Κατηγορία προϊόντων:MOSFET

  Τύπος FET:N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ -247-3 650V ολοκληρωμένων κυκλωμάτων στάσεων IKW40N65ET7XKSA1 τομέων τάφρων IGBT

  Αριθμός μερών:IKW40N65ET7XKSA1

  Τύπος IGBT:Στάση τομέων τάφρων

  Ενέργεια μετατροπής:1.05mJ (επάνω), 590µJ (μακριά)

  Επικοινωνήστε
• 

  Ενιαίες IGBT ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες -247-3 τσιπ IKW50N120CH7XKSA1

  Αριθμός μερών:IKW50N120CH7XKSA1

  Ενέργεια μετατροπής:2.33mJ (επάνω), 1.12mJ (μακριά)

  Τύπος εισαγωγής:Πρότυπα

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel τσιπ MSC025SMA120B ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες καρβιδίου του πυριτίου

  Αριθμός μερών:MSC025SMA120B

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Τύπος FET:N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel MOSFET -268-3 κρυσταλλολυχνιών MSC180SMA120S SIC τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

  Αριθμός μερών:MSC180SMA120S

  Vgs (Max):+23V, -10V

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V

  Επικοινωνήστε
• 

  1200V N-Channel καρβιδίου MSC017SMA120J του πυριτίου MOSFET δύναμης ενότητα μέθυσος-227-4

  Αριθμός μερών:MSC017SMA120J

  Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:- 55 Γ

  Pd - διασκεδασμός δύναμης:278 W

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFETs FET τσιπ MSC017SMA120S ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ενιαίες κρυσταλλολυχνίες -268-3

  Αριθμός μερών:MSC017SMA120S

  Διασκεδασμός δύναμης (Max):357W (TC)

  Συσκευασία συσκευών προμηθευτών:D3PAK

  Επικοινωνήστε