Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  -247-3 μέσω των κρυσταλλολυχνιών στάσεων τομέων τάφρων τρυπών IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

  αριθμός μερών:IKQ120N120CS7XKSA1

  Τύπος IGBT:Στάση Πεδίου Τάφρου

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Επικοινωνήστε
• 

  Στάση τομέων τάφρων κρυσταλλολυχνιών IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT υψηλής ταχύτητας 1200V 166A

  αριθμός μερών:IKQ100N120CH7XKSA1

  Σειρά:TrenchStop™

  Ενέργεια μετατροπής:6.7mJ (επάνω), 2.52mJ (μακριά)

  Επικοινωνήστε
• 

  Κρυσταλλολυχνίες 1200V 36A 176W τσιπ IKW15N120CS7XKSA1 IGBT ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μέσω της τρύπας PG-to247-3

  Αριθμός μερών:IKW15N120CS7XKSA1

  Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών:1,2 kV

  Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:1.65 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  Ενιαίες IGBT ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες -247-3 τσιπ IKW50N65ET7XKSA1

  Αριθμός μερών:IKW50N65ET7XKSA1

  Δύναμη - Max:273 W

  Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:93 NS

  Επικοινωνήστε
• 

  Ηλεκτρονικές κρυσταλλολυχνίες στάσεων τομέων τάφρων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

  Αριθμός μερών:IKW30N65ET7XKSA1

  VCE:650 Β

  Θερμοκρασία αποθήκευσης:-55 - 150 °C

  Επικοινωνήστε
• 

  στάση -247-3 τομέων τάφρων κρυσταλλολυχνιών IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT 1200V IGBT

  Αριθμός μερών:IKW40N120CS7XKSA1

  Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:- 20 Β, 20 Β

  Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ:82 Α

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 IGBT

  Αριθμός μερών:IKW20N65ET7XKSA1

  TD (on/off) @ 25°C:16ns/210ns

  Όρος δοκιμής:400V, 20A, 12Ohm, 15V

  Επικοινωνήστε
• 

  Ενιαίες κρυσταλλολυχνίες IKW40N120CH7XKSA1 -247-3 στάση 1200V IGBTs τομέων τάφρων IGBT

  Αριθμός μερών:IKW40N120CH7XKSA1

  IFpuls ανώτατο:165A

  Ptot (@ TA=25°C) ανώτατο:330 W

  Επικοινωνήστε
• 

  Στάση 1200 Β 75 τομέων τάφρων IKY50N120CH7XKSA1 IGBT κρυσταλλολυχνίες ενός IGBTs

  Αριθμός μερών:IKY50N120CH7XKSA1

  Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών:1200 Β

  Τύπος εισαγωγής:Πρότυπα

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών IKQ75N120CS7XKSA1 στάσεων τομέων τάφρων IGBT

  Αριθμός μερών:IKQ75N120CS7XKSA1

  Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:- 20 Β, 20 Β

  Συσκευασία:-247-3

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 1700V IMBF170R450M1 οι κρυσταλλολυχνίες -263-8 επιφάνεια συσκευασίας τοποθετούν

  Αριθμός μερών:IMBF170R450M1

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Τύπος FET:N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  -263-8 MOSFETs καρβιδίου του πυριτίου IMBG65R048M1H δύναμη τάφρων κρυσταλλολυχνιών 650V SIC

  Αριθμός μερών:IMBG65R048M1H

  Μέγιστο ρεύμα αγωγών (Max):99A

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 33 @ 18 Β

  Επικοινωνήστε