Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  N-Channel τσιπ MSC035SMA070B4 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFETs -247-4 καρβίδιο του πυριτίου

  Αριθμός μερών:MSC035SMA070B4

  Ικανότητα εισαγωγής:2010pF (τύπος)

  Ικανότητα παραγωγής:247pF (τύπος)

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFETs τσιπ -247-3 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών MSC035SMA070B N-Channel

  Αριθμός μερών:MSC035SMA070B

  Λειτουργούσα θερμοκρασία (Max):175°C (TJ)

  Ταυτότητα - Συνεχές ρεύμα αγωγών:77 Α

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel καρβιδίου του πυριτίου 1200V MSC080SMA120J MOSFET δύναμης υποστήριγμα μέθυσος-227 πλαισίων

  Αριθμός μερών:MSC080SMA120J

  Τύπος FET:N-Channel

  Τεχνολογία:SiCFET (καρβίδιο του πυριτίου)

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel καρβιδίου του πυριτίου τσιπ MSC015SMA070S 700V ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFET δύναμης

  Αριθμός μερών:MSC015SMA070S

  Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:N-Channel

  Αριθμός καναλιών:1 κανάλι

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 700V τσιπ MSC015SMA070B ολοκληρωμένου κυκλώματος μέσω της τρύπας -247-3 κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:MSC015SMA070B

  Τύπος FET:N-Channel

  Τάση κίνησης:20V

  Επικοινωνήστε
• 

  -247-3 μέσω των κρυσταλλολυχνιών στάσεων τομέων τάφρων τρυπών IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

  αριθμός μερών:IKQ120N120CS7XKSA1

  Τύπος IGBT:Στάση Πεδίου Τάφρου

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Επικοινωνήστε
• 

  Στάση τομέων τάφρων κρυσταλλολυχνιών IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT υψηλής ταχύτητας 1200V 166A

  αριθμός μερών:IKQ100N120CH7XKSA1

  Σειρά:TrenchStop™

  Ενέργεια μετατροπής:6.7mJ (επάνω), 2.52mJ (μακριά)

  Επικοινωνήστε
• 

  Κρυσταλλολυχνίες 1200V 36A 176W τσιπ IKW15N120CS7XKSA1 IGBT ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μέσω της τρύπας PG-to247-3

  Αριθμός μερών:IKW15N120CS7XKSA1

  Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών:1,2 kV

  Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:1.65 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  Ενιαίες IGBT ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες -247-3 τσιπ IKW50N65ET7XKSA1

  Αριθμός μερών:IKW50N65ET7XKSA1

  Δύναμη - Max:273 W

  Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:93 NS

  Επικοινωνήστε
• 

  Ηλεκτρονικές κρυσταλλολυχνίες στάσεων τομέων τάφρων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

  Αριθμός μερών:IKW30N65ET7XKSA1

  VCE:650 Β

  Θερμοκρασία αποθήκευσης:-55 - 150 °C

  Επικοινωνήστε
• 

  στάση -247-3 τομέων τάφρων κρυσταλλολυχνιών IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT 1200V IGBT

  Αριθμός μερών:IKW40N120CS7XKSA1

  Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:- 20 Β, 20 Β

  Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ:82 Α

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 IGBT

  Αριθμός μερών:IKW20N65ET7XKSA1

  TD (on/off) @ 25°C:16ns/210ns

  Όρος δοκιμής:400V, 20A, 12Ohm, 15V

  Επικοινωνήστε