Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  Ενιαίες κρυσταλλολυχνίες IKW40N120CH7XKSA1 -247-3 στάση 1200V IGBTs τομέων τάφρων IGBT

  Αριθμός μερών:IKW40N120CH7XKSA1

  IFpuls ανώτατο:165A

  Ptot (@ TA=25°C) ανώτατο:330 W

  Επικοινωνήστε
• 

  Στάση 1200 Β 75 τομέων τάφρων IKY50N120CH7XKSA1 IGBT κρυσταλλολυχνίες ενός IGBTs

  Αριθμός μερών:IKY50N120CH7XKSA1

  Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών:1200 Β

  Τύπος εισαγωγής:Πρότυπα

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών IKQ75N120CS7XKSA1 στάσεων τομέων τάφρων IGBT

  Αριθμός μερών:IKQ75N120CS7XKSA1

  Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:- 20 Β, 20 Β

  Συσκευασία:-247-3

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 1700V IMBF170R450M1 οι κρυσταλλολυχνίες -263-8 επιφάνεια συσκευασίας τοποθετούν

  Αριθμός μερών:IMBF170R450M1

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Τύπος FET:N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  -263-8 MOSFETs καρβιδίου του πυριτίου IMBG65R048M1H δύναμη τάφρων κρυσταλλολυχνιών 650V SIC

  Αριθμός μερών:IMBG65R048M1H

  Μέγιστο ρεύμα αγωγών (Max):99A

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 33 @ 18 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  IMBG65R039M1H N-Channel 650V MOSFETs συσκευή δύναμης τάφρων κρυσταλλολυχνιών SIC

  Αριθμός μερών:IMBG65R039M1H

  Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C:54A (TC)

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:51mOhm @ 25A, 18V

  Επικοινωνήστε
• 

  650V N-Channel SIC κρυσταλλολυχνιών IMW65R030M1H κρυσταλλολυχνίες δύναμης τάφρων -247-3

  Αριθμός μερών:IMW65R030M1H

  Οδηγώντας τάση:18v

  Τρόπος καναλιών:Αύξηση

  Επικοινωνήστε
• 

  1200V MOSFET IMZ120R350M1H τάφρων SIC N-Channel κρυσταλλολυχνίες -247-4 μέσω της τρύπας

  Αριθμός μερών:IMZ120R350M1H

  Τάση κατώτατων ορίων πυλών συγκριτικής μέτρησης επιδόσεων:VGS (θόριο) = 4.5V

  Tvj, ανώτατο:175°C

  Επικοινωνήστε
• 

  -247-3 N-Channel 650V 26A συσκευασίας IMW65R072M1H μέσω των κρυσταλλολυχνιών τρυπών

  Αριθμός μερών:IMW65R072M1H

  Qg:nC 22

  VGS:18 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  Η ιδιαίτερη επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών IMBG120R350M1H -263-8 ημιαγωγών τοποθετεί

  Αριθμός μερών:IMBG120R350M1H

  Παλόμενο ρεύμα διόδων σωμάτων:169 Α

  Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:3 µs

  Επικοινωνήστε
• 

  Μέθυσος-563 η επιφάνεια τοποθετεί το σύγχρονο βήμα TPS563231DRLR 3A - κάτω από το ρυθμιστή τάσης

  Αριθμός μερών:TPS563231DRLR

  Τάση - που εισάγεται (λ.):4.5V

  Τάση - που εισάγεται (Max):17V

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ XC7S50-1CSGA324C 950 προγραμματίσημο ολοκληρωμένο κύκλωμα 324-LFBGA ολοκληρωμένων κυκλωμάτων λογικής των MV

  Αριθμός μερών:XC7S50-1CSGA324C

  RAM:kbit 600

  Εργαστήρια:ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 4075

  Επικοινωνήστε