Αριθμός μερών:NVHL060N090SC1
Μηδέν ρεύμα αγωγών τάσης πυλών:100 UA
Ρεύμα διαρροής Gate−to−Source:±1 UA
Αριθμός μερών:NTP055N65S3H
Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης:30 NS
Σειρά:SuperFET® ΙΙΙ
Αριθμός μερών:NTMFS0D9N03CGT1G
Παλόμενο ρεύμα αγωγών:900 Α
Junction−to−Case – σταθερό κράτος:1.0 °C/W
Αριθμός μερών:FDBL9403-F085T6
Ρεύμα πηγής:330 Α
Ικανότητα εισαγωγής:6985 pF
Αριθμός μερών:NTMFS5C628NT1G
Χρόνος καθυστέρησης Turn−off:25 NS
Μπροστινή τάση διόδων:1.2V
Αριθμός μερών:NVH4L040N65S3F
Τεχνολογία:MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Αριθμός μερών:NVMFS5C670NWFT1G
Τάση κίνησης:10V
RDS επάνω:7mOhm
Αριθμός μερών:NTP125N65S3H
Τεχνολογία:MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Αριθμός μερών:NTMFS005N10MCLT1G
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @:3V @ 192µA
Διασκεδασμός δύναμης (Max):3W (TA), 125W (TC)
Αριθμός μερών:NTH4L015N065SC1
Χρόνος δαπανών:17 NS
Χρόνος απαλλαγής:11 NS
Αριθμός μερών:NTH4L027N65S3F
Τοποθετώντας ύφος:Μέσω της τρύπας
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:N-Channel
Αριθμός μερών:NVMFS5C612NWFT1G
Συνεχές ρεύμα αγωγών:225 Α
Τάση Gate−to−Source:±20 Β