Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  Αυτοκινητικές κρυσταλλολυχνίες 268W -247-3 στάσεων τομέων τάφρων τσιπ AFGHL50T65RQDN IGBT

  Αριθμός μερών:AFGHL50T65RQDN

  Παροδική τάση Gate−to−Emitter:±30V

  Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max):650 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  Η επιφάνεια γενικού σκοπού τοποθετεί τα αυτοκινητικά τσιπ κρυσταλλολυχνιών AFGB40T65SQDN IGBT

  Αριθμός μερών:AFGB40T65SQDN

  Τύπος:Τρανζίστορ

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκινητικές εκτιμημένες FS4 βραχυκύκλωμα κρυσταλλολυχνίες τσιπ AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A

  Αριθμός μερών:AFGB40T65RQDN

  Παλόμενο ρεύμα συλλεκτών:160Α

  Ρεύμα συλλεκτών:40A

  Επικοινωνήστε
• 

  Μόνες IGBT AFGHL50T65SQ κρυσταλλολυχνίες -247-3 στάσεων αυτοκινητική στάση τομέων τάφρων τσιπ 268W

  Αριθμός μερών:AFGHL50T65SQ

  Τύπος IGBT:Στάση Πεδίου Τάφρου

  Παλόμενο ρεύμα συλλεκτών:200A

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκινητικό υποστήριγμα -263-3 επιφάνειας κρυσταλλολυχνιών τσιπ AFGB30T65SQDN ενιαίο IGBT

  Αριθμός μερών:AFGB30T65SQDN

  Τάση εκπομπών πυλών:- 20 V, + 20 V

  Δαπάνη πυλών:nC 56

  Επικοινωνήστε
• 

  ενιαία IGBT 268W AFGHL50T65SQD αυτοκινητική στάση τομέων τάφρων κρυσταλλολυχνιών 80A τσιπ 650V

  Αριθμός μερών:AFGHL50T65SQD

  Παλόμενο ρεύμα συλλεκτών:200A

  Διασκεδασμός δύναμης @ TC = 25°C (Max):268W

  Επικοινωνήστε
• 

  650V αυτοκινητικές κρυσταλλολυχνίες -247-3 τάφρων IGBT στάσεων τομέων τσιπ AFGHL50T65SQDC

  Αριθμός μερών:AFGHL50T65SQDC

  Τάση Collector−to−Emitter:650V

  Τάση Gate−To−Emitter:±20V

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκινητικά τσιπ AFGB30T65RQDN IGBT για την αυτοκίνητη συσκευασία εφαρμογών TO−263

  Αριθμός μερών:AFGB30T65RQDN

  Μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων:175°C

  ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ:TO−263

  Επικοινωνήστε
• 

  375W αυτοκινητική ενιαία IGBT τομέων τάφρων τσιπ AFGHL75T65SQD IGBT κρυσταλλολυχνία στάσεων 650V

  Αριθμός μερών:AFGHL75T65SQD

  Ο τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) - Max:80 Α

  Λειτουργούσα θερμοκρασία (λ.):-55°C (TJ)

  Επικοινωνήστε
• 

  Ενιαία αυτοκινητικά τσιπ -247-3 κρυσταλλολυχνιών AFGY100T65SPD IGBTs στάση τομέων τάφρων

  Αριθμός μερών:AFGY100T65SPD

  Όρος δοκιμής:400V, 100A, 5Ohm, 15V

  TD (on/off) @ 25°C:36ns/78ns

  Επικοινωνήστε
• 

  120A αυτοκινητική στάση τομέων τάφρων κρυσταλλολυχνιών 650V IGBT τσιπ AFGY120T65SPD ενιαία IGBTs

  Αριθμός μερών:AFGY120T65SPD

  Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max):160 Α

  Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα:2.05V @ 15V, 120A

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκινητικές ενιαίες IGBT κρυσταλλολυχνίες -247-3 τάφρος IGBT τσιπ AFGY160T65SPD-B4 στάσεων τομέων

  Αριθμός μερών:AFGY160T65SPD-B4

  Δαπάνη πυλών:nC 245

  Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης (trr):132 NS

  Επικοινωνήστε