Κίνα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

• 

  Τριών επιπέδων MOSFET αναστροφέων MSCSM170TLM23C3AG SIC 4N-κανάλι ενότητας 1700V δύναμης

  Αριθμός μερών:MSCSM170TLM23C3AG

  Συσκευασία συσκευών προμηθευτών:SP3F

  Συσκευασία/περίπτωση:Ενότητα

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητες MOSFETs ενοτήτων MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW IGBT κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:MSCSM120AM11CT3AG

  Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:90s

  Θερμική αντίσταση σύνδεση--περίπτωσης:0.126°C/W

  Επικοινωνήστε
• 

  4N-κανάλι MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG αυτοκίνητες IGBT καρβιδίου του πυριτίου ενότητες 700V

  Αριθμός μερών:MSCSM70TLM10C3AG

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:430nC @ 20V

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 700V

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητη ενότητα 1200V Schottky καρβιδίου του πυριτίου ενοτήτων MSCDC100A120D1PAG IGBT

  Αριθμός μερών:MSCDC100A120D1PAG

  Διαμόρφωση διόδων:Σύνδεση σειράς 1 ζεύγους

  Συνολική χωρητική φόρτιση VR = 600V:448 nC (Τύπος)

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητες IGBT ενότητες ημιαγωγών ενοτήτων MSCSM120TAM16CTPAG 728W ιδιαίτερες

  Αριθμός μερών:MSCSM120TAM16CTPAG

  Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής:1μA

  Τάση κατώτατων ορίων πυλών:2.8V

  Επικοινωνήστε
• 

  MSCSM120TAM11CTPAG Mosfet τα πλαίσια σειράς 1200V 251A τοποθετούν την ενότητα κρυσταλλολυχνιών

  Αριθμός μερών:MSCSM120TAM11CTPAG

  Παλόμενο ρεύμα αγωγών:1600A

  Τάση πύλη-πηγής:25V

  Επικοινωνήστε
• 

  αυτοκίνητες IGBT Schottky καρβιδίου του πυριτίου 1700V 100A ενότητες διόδων MSCDC100A170D1PAG

  Αριθμός μερών:MSCDC100A170D1PAG

  Συνδετήρες δύναμης:M5 συνδετήρες δύναμης

  Τάση:1700V

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητη IGBT ενότητα δύναμης διόδων ενοτήτων 700V 100A ενοτήτων MSCDC100A70D1PAG

  Αριθμός μερών:MSCDC100A70D1PAG

  Ταχύτητα:Κανένας χρόνος αποκατάστασης > 500mA (Io

  Τάση - διαβιβάστε (Vf) (Max) @ εάν:1.8 Β @ 100 Α

  Επικοινωνήστε
• 

  Τα αυτοκίνητα Mosfet ενοτήτων MSCSM70VM19C3AG IGBT πλαίσια σειράς τοποθετούν τις κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:MSCSM70VM19C3AG

  Τοποθετώντας ύφος:Η βίδα τοποθετεί

  Vf - μπροστινή τάση:1.5 Β σε 50 Α

  Επικοινωνήστε
• 

  238A τα πλαίσια τοποθετούν τις αυτοκίνητες IGBT ενότητες κρυσταλλολυχνιών MSCSM70VM10C4AG

  Αριθμός μερών:MSCSM70VM10C4AG

  Διαμόρφωση:2 κανάλι Ν (πόδι φάσης)

  Δύναμη - Max:674W (TC)

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητη ενότητα δύναμης διόδων ποδιών SIC φάσης ενοτήτων MSCDC150A170D1PAG 150A IGBT

  Αριθμός μερών:MSCDC150A170D1PAG

  Συσκευασία συσκευών προμηθευτών:D1P

  Προϊόν:Ενότητα δύναμης διόδων

  Επικοινωνήστε
• 

  Τα αυτοκίνητα πλαίσια κρυσταλλολυχνιών ενοτήτων MSCSM120AM042CT6LIAG 495A IGBT τοποθετούν

  Αριθμός μερών:MSCSM120AM042CT6LIAG

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:18100pF @ 1kV

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:1392nC @ 20V

  Επικοινωνήστε