Αριθμός τμήματος:S27KL0643DPBHB023
Σειρά:HyperRAM™ KL
Τύπος μνήμης:Επικίνδυνα
Αριθμός τμήματος:S70KS1283GABHI020
Σφιχτότητα:512MB
Πρόσθετη τάση:1.7V ~ 2V
Αριθμός μερών:MT25QU512ABB8E12-0AAT
Τάση:1.7V ~ 2V
Πυκνότητα:512MB
Αριθμός μερών:MT41K256M16TW-107 AUT: Π
Μέγεθος μνήμης:4Gbit
Τύπος μνήμης:Πτητικός
Αριθμός τμήματος:S70KS1283GABHI023
DRAM:25nm
Διασύνδεση μνήμης:SPI - Οκταδικό I/O
Αριθμός μερών:Mt29f1g08abafah4-AAT: Φ
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:οκτάμπιτος
Διεπαφή μνήμης:Παράλληλος
Αριθμός μερών:Mtfc64gazaqhd-ait
Μέγεθος μνήμης:512 ΜΒ
Οργάνωση μνήμης:64G Χ 8
Αριθμός μερών:Mtfc64gazaqhd-AAT
Διεπαφή μνήμης:eMMC
Λειτουργούσα θερμοκρασία:-40°C ~ 105°C (TA)
Αριθμός μερών:Mtfc64gazaqhd-ΒΑΡΟΣ
Μέγεθος μνήμης:512Gbit
Οργάνωση μνήμης:64G Χ 8
Αριθμός μερών:Mtfc64gazaqhd-ΕΣΥ
Διεπαφή μνήμης:eMMC
Συχνότητα ρολογιών:200 MHZ
Αριθμός μερών:Mt29f1g16abbfah4-AAT: Φ
Τεχνολογία:ΛΑΜΨΗ - NAND (SLC)
Συσκευασία:63-VFBGA
Αριθμός μερών:Mtfc32gazaqhd-ait
Διεπαφή:MMC
Οργάνωση:32G Χ 8