Αριθμός τμήματος:Mt29f2g08abagawp-AAT: Γ
Πρόσθετη τάση:2.7V ~ 3.6V
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40 °C ~ 105 °C (TA)
Αριθμός τμήματος:Mt29f2g16abagawp-ait: Γ
Σβήστε το φραγμό:2 ms
Σύνολο εντολής:Πρωτόκολλο λάμψης NAND ONFI
Αριθμός τμήματος:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Α
Συχνότητα ρολογιού:100 MHz
Μνήμη:256Gbit
Αριθμός τμήματος:Mt29f2t08emleej4-ρ: Ε
Οργάνωση μνήμης:256G Χ 8
Διασύνδεση μνήμης:Παράλληλα
Αριθμός τμήματος:Mt29f2t08emleej4-τ: Ε
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:οκτάμπιτος
Οργάνωση:256 Γ Χ 8
Αριθμός τμήματος:Mt29f4t08euleem4-τ: Ε
Τύπος στερέωσης:Επεξεργασία επιφανείας
Θερμοκρασία λειτουργίας:0°C ~ 70°C
Αριθμός τμήματος:MT25QL02GCBB8E12-0AAT
Σβήστε την απόδοση:80KB/sec
Υποτομέας:4KB
Αριθμός τμήματος:Mt29f2g01abbgd12-AAT: Γ
Μέγεθος μνήμης:2Gbit
Διασύνδεση μνήμης:ΠΕΠ
Αριθμός τμήματος:Mt29f1t08eeleej4-ρ: Ε
Τεχνολογία:ΛΑΜΨΗ - NAND (TLC)
Πρόσθετη τάση:2.6V ~ 3.6V
Αριθμός τμήματος:Mt29f512g08ebleej4-τ: Ε
Οργάνωση μνήμης:64G Χ 8
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:οκτάμπιτος
Αριθμός τμήματος:Mt29f1t08eeleej4-τ: Ε
Τεχνολογία:ΛΑΜΨΗ - NAND (TLC)
Οργάνωση:128 Γ Χ 8
Αριθμός τμήματος:Mt29f1g01abbfd12-AAT: Φ
Οργάνωση μνήμης:1G Χ 1
Διασύνδεση μνήμης:ΠΕΠ